[发明专利]一种立体集成电感结构的制备方法有效
申请号: | 201410470308.2 | 申请日: | 2014-09-15 |
公开(公告)号: | CN104241188B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 梅绍宁;鞠韶复;朱继锋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/71 | 分类号: | H01L21/71 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种立体集成电感结构的制备方法,可以实现三维立体结构的电感,并通过制备顶部金属导线与底部金属导线互联形成以磁芯为中心单方向绕行的立体螺旋状的电感线圈,可以极大的提高电感磁通量以增加电感值的同时降低涡旋电流,并提高品质因数Q值以及电感线圈的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 立体 集成 电感 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种立体集成电感结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S1、提供一半导体衬底,并于所述半导体衬底之上依次制备第一绝缘层和底层金属薄膜后,去除部分所述底层金属薄膜,以于所述第一绝缘层之上形成若干平行排列的底部金属导线;步骤S2、制备第二绝缘层覆盖所述若干底部金属导线及所述第一绝缘层暴露的表面,并刻蚀所述第二绝缘层,以于各所述底部金属导线的长度延伸方向的两端部区域之上均形成一第一通孔;于所述第一通孔中填充第一金属,以于所述底部金属导线之上形成两列第一金属孔连线;步骤S3、制备第三绝缘层覆盖所述第一金属孔连线和所述第二绝缘层的上表面,并刻蚀第三绝缘层,以于各所述第一金属孔连线之上形成一第二通孔以及若干凹槽;所述若干凹槽包括环绕设置所有第二通孔的一环形凹槽以及与各列第一金属孔连线延伸方向平行的若干条状凹槽;于所述第二通孔和所述凹槽中填充第二金属,以于各所述第一金属孔连线之上均形成一第二金属孔连线,以及若干磁芯;步骤S4、制备第四绝缘层覆盖所述第二金属孔连线、所述磁芯和所述第三绝缘层的上表面,并刻蚀第四绝缘层,以于各所述第二金属孔连线之上均形成一第三通孔;于所述第三通孔中填充第三金属,以于所述第三通孔中形成一第三金属孔连线;步骤S5、制备顶层金属薄膜覆盖所述第三金属孔连线和所述第四绝缘层的上表面;刻蚀所述顶层金属薄膜,以形成若干平行排列的顶部金属导线;其中,所述顶部金属导线通过所述第三金属孔连线、所述第二金属孔连线和所述第一金属孔连线将所述底部金属导线首尾依次连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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