[发明专利]背照式影像传感器三维堆叠封装结构及封装工艺在审
申请号: | 201410471194.3 | 申请日: | 2014-09-16 |
公开(公告)号: | CN104505393A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 万里兮;韩磊;黄小花;王晔晔;沈建树;钱静娴 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所32212 | 代理人: | 盛建德,段新颖 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种背照式影像传感器三维堆叠封装结构及封装工艺,包括影像芯片和IC芯片,影像芯片的正面具有影像功能面,IC芯片的正面具有IC功能面,影像功能面与IC功能面相对设置,并通过若干个凸点直接焊接在一起或通过无源转接板转接后焊接在一起;影像功能面与IC功能面直接焊接在一起时,影像功能面与IC功能面之间的空隙内填充有底部填充胶;影像功能面与IC功能面通过无源转接板转接后焊接在一起时,影像功能面与无源转接板之间的空隙内填充有底部填充胶。本发明实现了影像芯片与IC芯片的面对面的堆叠封装,它不需要在晶圆生产过程中,改变晶圆内部的结构,且能够降低背对面堆叠封装需要制作不同深度的TSV孔的难度。 | ||
搜索关键词: | 背照式 影像 传感器 三维 堆叠 封装 结构 工艺 | ||
【主权项】:
一种背照式影像传感器三维堆叠封装结构,其特征在于:包括影像芯片(1)和IC芯片(2),所述影像芯片的正面具有影像功能面(11),所述IC芯片的正面具有IC功能面(21),所述影像功能面与所述IC功能面相对设置,并通过若干个凸点(3)直接焊接在一起或通过无源转接板(4)转接后焊接在一起;所述影像功能面与所述IC功能面直接焊接在一起时,所述影像功能面与所述IC功能面之间的空隙内填充有底部填充胶(5);所述影像功能面与所述IC功能面通过无源转接板转接后焊接在一起时,所述影像功能面与所述无源转接板之间的空隙内填充有底部填充胶(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的