[发明专利]一种热壁金属有机物化学气相沉积设备在审
申请号: | 201410471428.4 | 申请日: | 2014-09-15 |
公开(公告)号: | CN105401130A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 刘祥林 | 申请(专利权)人: | 刘祥林 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种热壁金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备。该设备包括长方形反应室、托盘加热器、天棚加热器、衬底托盘等。本发明区别于常规的MOCVD设备主要在于:本设备不仅有托盘加热器,而且还有天棚加热器。这两个加热器同时给长方形反应室的上下表面进行加热,由两个温度控制器分开控制,既可以使两个加热器的温度一致,也可以使得两个加热器的温度略有差异。用两个加热器同时加热,可以使内部反应室的顶部和底部同时加热,使内部反应室处于“热壁状态”,完全区别于常规MOCVD是“冷壁状态”。本设备特别适合生长氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)材料,尤其适合生产氮化镓发光二极管。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 有机物 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种热壁金属有机物化学气相沉积设备,其特征在于:其结构包括长方形反应室(3)、托盘加热器(1)、天棚加热器(2)、衬底托盘(4);长方形反应室(3)是一个水平反应室;它前端为气体进入口,有2块隔板,分隔成3个气体进入口,中间为MO源入口,上下两个入口为氨气入口;长方形反应室(3)的底部有1个圆孔:为托盘镶嵌孔,其直径略大于衬底托盘(4)的直径;长方形反应室(3)的后端为尾气出口,反应室内产生的尾气从这里排出;衬底托盘(4)的外形为圆形,嵌入长方形反应室(3)底部的托盘镶嵌孔内;托盘加热器(1)固定在衬底托盘(4)下部,天棚加热器(2)固定在长方形反应室(3)的顶部,托盘加热器(1)、天棚加热器(2)分别由两个温度控制器控制。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的