[发明专利]超级结半导体装置有效
| 申请号： | 201410471756.4 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104465768B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 赵文秀;崔彰容;权纯琢;全珖延;金大炳;禹赫 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩芳 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种超级结半导体装置。所述超级结半导体装置包括：单元区和结端子区，设置在基底上；以及过渡区，设置在单元区和结端子区之间，单元区、结端子区和过渡区均包括一个或更多个单个单元，单个单元包括在单元区和结端子区之间交替的多个N型柱区和多个P型柱区中的一个N型柱区和一个P型柱区。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种超级结半导体装置，所述超级结半导体装置包括：单元区和结端子区，设置在基底上；以及过渡区，设置在单元区和结端子区之间，其中，单元区、结端子区和过渡区均包括至少一个单个单元，所述单个单元包括N型柱区和与之相邻的P型柱区，其中，单个单元设置为邻近于彼此使得对应的N型柱区和P型柱区在单元区、结端子区和过渡区中交替，并且其中，在过渡区中的单个单元的平均宽度比在单元区和结端子区中的单个单元的平均宽度小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限公司，未经美格纳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410471756.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：肖特基势垒二极管和用于制造肖特基势垒二极管的方法
- 下一篇：低压静电保护环
- 同类专利
- 专利分类
