[发明专利]一种阵列基板的制备方法有效
申请号: | 201410472064.1 | 申请日: | 2014-09-16 |
公开(公告)号: | CN104362152B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 李春;王晏酩;宋瑞涛;吴涛;孙宏伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G03F7/00;G03F7/26 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够避免在减少亮点缺陷的过程中,对阵列基板上过多薄膜层的破坏。所述方法包括形成像素电极层图案的同时形成将相邻两个像素电极层图案电连接的导通层。还包括,在形成有上述结构的基板表面形成光刻胶层;通过一次曝光显影工艺,形成第一光刻胶去除区域和光刻胶保留区域。其中,第一光刻胶去除区域对应导通层的位置;对第一光刻胶去除区域的导通层进行刻蚀,形成用于避免相邻两个像素单元的像素电极层图案电连接的隔断区域,最后在隔断区域内,形成与相邻两个像素电极层图案非电连接的金属线图案。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,包括形成多个呈矩阵形式排列的像素电极层图案的方法,在采用形成所述像素电极层图案的方法时,还形成将相邻两个所述像素电极层图案电连接的导通层,其特征在于,还包括:在形成有所述导通层的基板表面形成光刻胶层;通过一次曝光显影工艺,形成第一光刻胶去除区域和光刻胶保留区域,所述第一光刻胶去除区域对应所述导通层的位置,所述光刻胶保留区域对应形成有所述导通层的基板表面的其它区域;刻蚀所述第一光刻胶去除区域的所述导通层,形成用于避免相邻两个所述像素电极层图案电连接的隔断区域;并对所述光刻胶保留区域的光刻胶层进行剥离;在形成有上述结构的基板表面形成金属层;通过一次构图工艺在所述隔断区域内,形成与相邻两个所述像素电极层图案非电连接的金属线图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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