[发明专利]一种相变存储器选通管及其存储单元在审
| 申请号： | 201410472304.8 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104347800A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 韩培高;钱波;吴良才;宋志棠;孟云 | 申请（专利权）人： | 曲阜师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 273165 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 相变存储技术是具有优异性能的新一代存储技术，它不受技术节点限制，其体积越小性能越优异，速度越快，功耗越低。本发明提出的相变存储器器件单元由场效应管和基于硫系化合物材料的阻变元件构成，其中MoS2场效应管作为选通管，硫系化合物阻变元件实现信息存储。MoS2是一种极薄的二维硫系化合物半导体材料，与通常的硅场效应管相比，MoS2场效应管体积更小，能耗极低，目前报道其功耗仅有硅材料的十万分之一，室温迁移率达到200cm2/Vs，室温电流开关比达到108。将MoS2场效应管和硫系化合物阻变元件结合形成的相变存储器器件单元，可实现低功耗、高速、高密度的相变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 选通管 及其 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种以MoS2场效应管为选通管的相变存储器器件单元，其特征在于： (a)场效应管是利用MoS2纳米薄膜制备；(b)相变存储器器件单元由一个基于MoS2的场效应管和基于硫系化合物材料的阻变元件构成；(c) MoS2场效应管作为选通管，硫系化合物阻变元件用作信息存储；(d)MoS2是一种极薄的二维硫系化合物半导体材，其禁带宽度Eg在1.0~2.0 eV之间，比无带隙的二维石墨烯材料具有更大的优势;(e)相变存储器器件单元中硫系化合物阻变元件制作在MoS2场效应管的漏端或源端。
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