[发明专利]一种氮化硅陶瓷化学机械抛光的方法有效
| 申请号： | 201410472656.3 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104263247B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱忠良 | 申请（专利权）人： | 青岛玉兰祥商务服务有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人： | 邓扬 |
| 地址： | 266000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化硅陶瓷化学机械抛光方法，所述方法采用具有如下组成的抛光液：一种化学机械抛光液由CeO2研磨颗粒、Cr2O3研磨颗粒、Al2O3研磨颗粒组成和水组成。与现有技术相比，本发明所述抛光方法抛光速度快，抛光时间短，提高了生产效率，降低了制造成本，采用本发明所述方法进行抛光后，氮化硅陶瓷表面光滑，可以显著提高氮化硅抛光质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种消除氮化硅陶瓷机械抛光过程造成裂纹表面缺陷的方法，其特征在于，所述方法采用具有如下组成的抛光液：一种化学机械抛光液由CeO2研磨颗粒、Cr2O3研磨颗粒、Al2O3研磨颗粒和水组成；其中，所述抛光时间为1～7h；所述CeO2研磨颗粒占抛光液的质量百分比为15～60％；所述Cr2O3研磨颗粒占抛光液的质量百分比为2～10％；所述Al2O3研磨颗粒占抛光液的质量百分比为2～10％。
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