[发明专利]半导体器件及形成方法有效
| 申请号： | 201410474352.0 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280689B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 廖洺汉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及形成方法。半导体器件包括围绕介电管的沟道和围绕沟道的栅极。介电管包括具有或传导很少甚至没有载流子(诸如，电子或空穴)的高介电常数材料。介电管的存在将载流子限制在非常接近于栅极的沟道内。沟道及其内的载流子接近于栅极允许栅极对载流子施加更大的控制，因此允许减少沟道的长度，同时遭受很少甚至没有的短沟道效应，如，穿过沟道的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：介电层；沟道，围绕介电管，所述沟道和所述介电管位于所述介电层上方；以及栅极，位于所述介电层上方，围绕所述沟道，其中，所述沟道的沟道厚度除以所述沟道的沟道长度的比值介于1/30至10之间；其中，所述栅极包括形成在所述沟道与所述介电层之间的部分；其中，所述介电管、所述沟道和所述栅极在垂直于沟道长度方向的截面上的截面形状包括矩形。
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