[发明专利]芯片封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410474371.3 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465567A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;赵根喜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片封装结构及其制备方法，该芯片封装结构包含一半导体装置，该半导体装置包含复数个导体。各导体经由一上垂直连接件连接一芯片选择接点。上垂直连接件穿过在基材上的绝缘层或连接穿过基材和绝缘层的直的垂直连接件。半导体装置包含复数个下垂直连接件，下垂直连接件穿过基材并对应地电性连接芯片选择接点及芯片选择电极。芯片选择电极电性连接半导体装置的晶粒电路，而芯片选择接点电性绝缘于晶粒电路。下垂直连接件与直的垂直连接件呈二维排列。由于垂直连接件呈二维排列，故可使用较少的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片封装结构，包含至少一半导体装置，该至少一半导体装置包含：一晶粒，包含一晶粒电路和一基材；一芯片选择电极，形成于该基材并电性连接该晶粒电路；复数个芯片选择接点，形成于该基材并电性隔离于该晶粒电路；一第一下垂直连接件，贯穿该基材并连接该芯片选择电极；复数个第二下垂直连接件，贯穿该基材并对应连接该复数个芯片选择接点；一绝缘层，形成于该基材上；复数个上垂直连接件，穿过该绝缘层并对应连接该复数个芯片选择接点；一垂直连接件，垂直地穿过该基材与该绝缘层；以及复数个导体，形成于该绝缘层上，其中各该导体连接至该复数个上垂直连接件与该垂直连接件中之一，并延伸至该第一下垂直连接件与该复数个第二下垂直连接件中之一的上方；其中该第一下垂直连接件、该复数个第二下垂直连接件和该垂直连接件呈二维排列。
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