[发明专利]用于清洗金属残留物的方法和溶液在审
| 申请号： | 201410475090.X | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104451753A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 萨曼塔·S·H·坦;亚历山大·卡班斯凯;乔伊迪普·古哈 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23G5/02 | 分类号： | C23G5/02;C23F1/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于清洗金属残留物的方法和溶液，具体提供一种用于处理半导体器件的溶液，该溶液包含：活化剂，该活化剂包括吡啶、吡咯、吡咯烷、嘧啶、N,N-二甲基甲酰胺、氯化四乙胺、4-吡啶硫醇、或者具有单个N孤对电子活化剂的其它有机化合物中的至少一种；和蚀刻剂，该蚀刻剂包括氯化亚砜、Cl2、Br2、I2、SOF2、SOF4、SO2Cl2、SOBr2、S2O6F2、HSO3F、或C2Cl4O2中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 清洗 金属 残留物 方法 溶液 | ||
【主权项】：
一种用于处理半导体器件的溶液，其包含：活化剂，所述活化剂包括吡啶、吡咯、吡咯烷、嘧啶、N,N‑二甲基甲酰胺、氯化四乙胺、4‑吡啶硫醇、或者具有单个N孤对电子活化剂的其它有机化合物中的至少一种；和蚀刻剂，所述蚀刻剂包括二氯亚砜(SOCl2)、Cl2、Br2、I2、SOF2、SOF4、SO2Cl2、SOBr2、S2O6F2、HSO3F、或C2Cl4O2中的至少一种。
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