[发明专利]一种多晶硅太阳能电池制造工艺

摘要

本发明提供了一种多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，具体步骤包括：将多晶硅片用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，在多晶硅片上形成PN结，对多晶硅片进行背面刻蚀，用PECVD进行镀膜，印刷背电极、背电场和正电极，烧结，得到多晶硅太阳能电池。本发明通过调整制绒与镀膜工艺使得多晶太阳能电池片做成组件后可以与单晶电池片做成的组件外观一致，颜色统一，且看不到多晶的晶界。

主权项

一种多晶硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，具体步骤包括：将多晶硅片用氢氟酸和硝酸进行多晶制绒，在多晶硅片上形成PN结，对多晶硅片进行背面刻蚀，用PECVD进行镀膜，印刷背电极、背电场和正电极，烧结，得到多晶硅太阳能电池；其中，所述的多晶制绒的具体步骤包括：将多晶硅片在含有氢氟酸和硝酸的制绒液在4℃±0.5℃的条件下进行制绒，所述的制绒液中氢氟酸的重量浓度为7.5％±0.5％，硝酸的重量浓度为38％±0.5％，碱洗，酸洗，并吹干；所述的用PECVD进行镀膜的具体步骤包括：采用氨气与硅烷作为反应气体，氨气与硅烷的流量比例控制在2.8∶1～3.2∶1，膜的厚度为70nm±2nm，折射率为2.10±0.02。