[发明专利]一种铜柱凸点封装结构的成型方法有效

申请号：	201410476004.7	申请日：	2014-09-17
公开（公告）号：	CN104201121A	公开（公告）日：	2014-12-10
发明（设计）人：	陈萍;赵修臣;刘颖;李红	申请（专利权）人：	北京理工大学
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60
代理公司：	无	代理人：	无
地址：	100081 北京市***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明所述铜柱凸点封装结构包括：半导体衬底和位于所述衬底上的金属焊盘；所述金属焊盘的四周设有钝化层，所述钝化层覆盖于衬底上；凸点下金属化层位于金属焊盘及金属焊盘四周边缘部分的钝化层上，所述凸点下金属化层包括位于金属焊盘上的粘附层，位于粘附层上的阻挡层，位于阻挡层上的抗氧化层；铜柱位于凸点下金属化层的正上方，所述铜柱的顶端设有焊料凸点，所述焊料凸点的底部通过界面阻挡层与铜柱接触。本发明采用添加纳米颗粒的复合焊料凸点和凸点与铜柱之间增加阻挡层的方法，弱化铜柱和凸点之间的界面反应，避免因金属间化合物的形成而导致结构失效，从而提高了铜柱凸点封装结构的可靠性和耐用性。
搜索关键词：	一种铜柱凸点封装结构成型方法
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【主权项】：

所述铜柱凸点封装结构(400)，包括半导体衬底(100)和位于所述衬底(100)上的金属焊盘(110)；所述金属焊盘(110)的四周设有钝化层(200)，所述钝化层(200)覆盖于衬底(1000上；凸点下金属化层(300)位于金属焊盘(110)及金属焊盘(110)四周边缘部分的钝化层(200)上，所述凸点下金属化层(300)包括位于金属焊盘(110)上的粘附层(310)，位于粘附层(310)上的阻挡层(320)，位于阻挡层(320)上的抗氧化层(330)；铜柱(410)位于凸点下金属化层(300)的正上方，所述铜柱(410)的顶端设有焊料凸点(430)，所述焊料凸点(430)的底部通过界面阻挡层(420)与铜柱(410)接触。

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H 电学

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