[发明专利]一种具有低横向效应的加速度传感器芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201410476105.4 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104237560A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 田边;韩佰锋;赵玉龙;蒋庄德;马婧曌 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种具有低横向效应的加速度传感器芯片及其制作方法，芯片由一对敏感梁与一对补充梁共同支撑芯片的悬空质量块并使其悬空，敏感梁上置了压敏电阻并连接成半开环惠斯通电桥，电桥的输出端与芯片的焊盘相连，其制作方法是通过硅各项异性湿法刻蚀以及ICP等离子刻蚀得到硅基底中的由悬空质量块、敏感梁和补充梁组成的可动结构，正面光刻并溅射形成芯片的金属引线与焊盘，在硅片基底的背面粘结硼玻璃，正面光刻并刻蚀形成芯片可动部件与硅质基底的间隙，最后得到芯片，该芯片能够在满足高灵敏度，低量程，低谐振频率性能的同时，具有较好的抵抗横向效应的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 横向 效应 加速度 传感器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有低横向效应的加速度传感器芯片，包括硅质基底(1)，硅质基底(1)的背面与硼玻璃(5)键合，硅质基底(1)的中心空腔内配置有悬空质量块(4)，其特征在于：两根相同补充梁(3)分别与悬空质量块(4)的一组相对边相连，两根相同敏感梁(2)则分别与悬空质量块的另一组相对边相连，补充梁(3)与敏感梁(2)共同支撑悬空质量块(4)，使其保持悬空状态，硼玻璃(5)与悬空质量块(4)下底面预留有工作间隙；两根敏感梁(2)上均匀布置了两根压敏电阻(6)，四根压敏电阻(6)通过芯片上的金属引线(7)相互连接组成半开环惠斯通电桥，电桥的输出端与芯片中的焊盘(8)相连，四根压敏电阻(6)按照敏感梁(2)上的正/负应力分布规律布置，且位于硅晶体相同的晶向上，每一根压敏电阻(6)均由2‑4折的单一压阻条组成。
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