[发明专利]一种涂层导体单缓冲层及其制备方法在审
| 申请号： | 201410476579.9 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104264132A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 金利华;于泽铭;冯建情;李成山;王耀;张平祥 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C23C18/12 | 分类号： | C23C18/12;H01B12/06;H01B13/00 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种涂层导体单缓冲层，化学组成为LaZrxCeyOδ，其中x的取值为1～2，y的取值为0.2～2，δ＝1.5+2x+2y。另外，本发明还公开了该涂层导体单缓冲层的制备方法。本发明的单缓冲层既能阻隔金属离子扩散，又能传递织构，可以起到多层缓冲层的作用。本发明通过改变前驱体组份调节单缓冲层的晶格参数，使之更易于生长；能够更好与超导层的晶格参数匹配；同时LaZrxCeyOδ单缓冲层表面析出少量纳米点可以诱导超导层的生长。采用本发明的方法制备的LaZrxCeyOδ单缓冲层具有锐利的立方取向，表面光滑平整、无裂纹，有利于外延生长超导层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 涂层 导体 缓冲 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种涂层导体单缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为LaZrxCeyOδ，其中x的取值为1～2，y的取值为0.2～2，δ＝1.5+2x+2y。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
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