[发明专利]基于场效应管充电的半导体启动器件及制造工艺

摘要

本发明公开了一种基于场效应管充电的半导体启动器件，包括场效应管、电子开关、低压电源模块、电阻、电容、反馈控制模块，由场效应管直接为电容充电，由反馈控制模块配合电子开关和低压电源模块根据输出电压大小控制场效应管的通、断。本发明还公开了一种半导体启动器件的制造工艺，主要针对场效应管Q1和低压电源模块的制造进行改进。本发明所述半导体启动器件采用场效应管直接对电容充电，因其自身导通时电阻小、功耗小，所以在输入电压较小时也能产生较大的充电电流，可降低电阻功耗和发热量；充电结束后，由反馈控制模块使电子开关导通而关断场效应管，停止充电，只有很小的漏电电流，达到降低损耗、提高电源效率的目的。

主权项

一种基于场效应管充电的半导体启动器件，其电源输入端的输入电压为电容充电，所述电容的两端为电源输出端，其特征在于：N型高浓度衬底上设有N型轻掺杂外延层，N型轻掺杂外延层的其中一半区域内设有并排的两个P型埋层，两个P型埋层上均设有第一P阱和第二P阱，两个第二P阱上均设有第一N型重掺杂和第一P型重掺杂，两个第一P阱相邻，两个第一P阱的表面为场效应管的沟道，两个第一P阱经过对应的P型埋层、第二P阱和第一P型重掺杂引出并相互连接构成场效应管的B端，两个第一N型重掺杂相互连接构成场效应管的S端，N型高浓度衬底和N型轻掺杂外延层构成场效应管的D端，两个第一P阱上设有厚氧化层，厚氧化层上设有多晶硅，多晶硅构成场效应管的G端；N型轻掺杂外延层的另一半区域内设有第二N型重掺杂，第二N型重掺杂的两侧分别设有第三P阱，两个第三P阱内分别设有第二P型重掺杂；第二N型重掺杂与场效应管的G端连接，场效应管的B端串联电阻后与电子开关的第一端连接，场效应管的S端分别与电容的第一端和反馈控制模块的正极输入端连接，反馈控制模块的输出端与电子开关的控制输入端连接，两个第二P型重掺杂、电容的第二端、反馈控制模块的负极输入端、电子开关的第二端均接地，N型高浓度衬底引出接线端作为所述半导体启动器件的电源输入端的正极，电容的第一端引出接线端作为所述半导体启动器件的电源输出端的正极。