[发明专利]成膜装置

摘要

本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序：对基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经加热后的基底，在基底的表面形成晶种层；对基底进行加热，向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使不含氨基的硅烷系气体热分解，从而在晶种层上形成非晶体硅膜。

主权项

一种成膜装置，其用于在基底上形成非晶体硅膜，其特征在于，具有：处理室，其用于收容被处理体，该被处理体具有在其上形成上述非晶体硅膜的基底；处理气体供给机构，其用于向上述处理室内供给处理所使用的气体；分散喷嘴，在其铅垂部分上隔开规定间隔地形成有多个气体喷出孔，上述处理所使用的气体从各气体喷出孔沿着水平方向朝着上述处理室内喷出；加热装置，其用于对被收容在上述处理室内的上述被处理体进行加热；排气机构，其用于对上述处理室内进行排气；以及控制器，其用于控制上述处理气体供给机构、上述加热装置以及上述排气机构，上述控制器控制上述处理气体供给机构、上述加热装置以及上述排气机构，以实施下述(1)工序和(2)工序，即：(1)对上述基底进行加热，使氨基硅烷系气体流经上述加热后的基底，在上述基底的表面形成晶种层；(2)对上述基底进行加热，向上述加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体，使上述不含氨基的硅烷系气体热分解，从而在上述晶种层上形成非晶体硅膜，上述(1)工序中的上述基底的加热温度低于上述(2)工序中的上述基底的加热温度，上述(1)工序中的用于形成上述晶种层的处理时间比上述(2)工序中的用于形成上述非晶体硅膜的处理时间短。