[发明专利]光电转换层和其于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用无效
申请号: | 201410478173.4 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN104465817A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 藤本明;岩崎刚之;木村香里;泷泽和孝;中村健二;真竹茂 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本公开提供了含有半导体和分散于其中的多个含金属微小结构的光电转换层。所述微小结构是包含金属材料(α)的微小结构(A)或否则包含金属材料(α)和材料(β)的微小结构(B),所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组。在所述微小结构(B)中,所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上。所述微小结构中的每一个都具有基于当从特定方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径。在该方向上,所述微小结构具有最小总投影面积。相邻两个所述微小结构之间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。本公开还提供了所述光电转换层于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 太阳能电池 光电二极管 图象 传感器 应用 | ||
【主权项】:
一种光电转换层,其含有半导体和分散于所述半导体中的多个含金属微小结构,其中所述含金属微小结构选自(A)或(B);(A)包含金属材料的含金属微小结构;(B)包含金属材料(α)和材料(β)的含金属微小结构,所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组,条件是所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上;并且所述含金属微小结构中的每一个都具有基于从以下方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径:其中所述含金属微小结构具有最小总投影面积,并且所述含金属微小结构中相邻两个间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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