[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其能够低廉地进行制造且是降低了反馈电容的沟槽栅型。具有半导体基板，其是层叠第1半导体区、第2半导体区、第3半导体区、以及第4半导体区而成的；绝缘膜，其配置在槽的内壁上，该槽从第4半导体区的上表面延伸，贯通第4半导体区以及第3半导体区而达到第2半导体区；控制电极，其在槽的侧面，与第3半导体区的侧面相对地配置在绝缘膜上；第1主电极，其与第1半导体区电连接；第2主电极，其与第3半导体区以及第4半导体区电连接；底面电极，其在槽的底面中与控制电极分离地配置在绝缘膜上，与第2主电极电连接，其中，在俯视时，槽的延伸方向的长度为槽的宽度以上，且，槽的宽度大于相邻的槽彼此之间的间隔。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区；第2导电型的第2半导体区，其配置在所述第1半导体区之上；第1导电型的第3半导体区，其配置在所述第2半导体区之上；多个第2导电型的第4半导体区，它们配置在所述第3半导体区之上；绝缘膜，其分别配置在槽的内壁上，该槽从所述第4半导体区的上表面延伸，贯通所述第4半导体区以及所述第3半导体区，到达所述第2半导体区；控制电极，其分别在所述槽的相对的侧面上沿着所述绝缘膜的与所述第3半导体区相对的区域彼此分离地配置；第1主电极，其与所述第1半导体区电连接；第2主电极，其与所述第4半导体区电连接；以及底面电极，其在所述槽的底面上与所述控制电极分离地配置在所述绝缘膜之上，并与所述第2主电极电连接，在俯视时，所述槽的延伸方向的长度为所述槽的宽度以上，且所述槽的宽度大于相邻的所述槽彼此之间的间隔，所述底面电极的与所述槽的底面相对的宽度大于所述底面电极的膜厚方向的厚度。