[发明专利]射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法在审
| 申请号： | 201410478428.7 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105489648A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法，该射频横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：基板，基板上形成有栅极；侧壁，侧壁位于栅极的两侧面，侧壁背离栅极的一边呈弧形，且侧壁的底部大于侧壁的顶部；隔离氧化层，形成于基板、侧壁和栅极上；场板层，形成于隔离氧化层上。根据本发明的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法，由于在栅极两侧形成侧壁，使得栅极两侧为斜坡形貌，对场板层的刻蚀变得相对容易，可以减少不需要的场板层的残留，提高了射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：基板，所述基板上形成有栅极；侧壁，所述侧壁位于所述栅极的两侧面，所述侧壁背离所述栅极的一边呈弧形，且所述侧壁的底部大于所述侧壁的顶部；隔离氧化层，形成于所述基板、所述侧壁和所述栅极上；场板层，形成于所述隔离氧化层上。
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