[发明专利]一种利用用后耐火材料制备SiC材料的方法在审
申请号: | 201410478636.7 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN105480977A | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 韩君昌 | 申请(专利权)人: | 青岛百键城环保科技有限公司 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36 |
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地址: | 266300 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种利用用后耐火材料制备SiC材料的方法,属于耐火材料的合成技术领域。工艺步骤为:按配方组配原料:原料配方按质量百分比计:用后硅质耐火材料:55~75%;活性炭:20~40%;辅助结合剂1~5%;粉碎:将用后硅质耐火材料球磨机中混磨至粒径35~45μm;混料、成型;高温热处理:合成采用空气中埋碳控制得到还原气氛体系,温度升至1400℃~1600℃,保温3~10h。本方法可以制备出纯度较高的SiC材料,且工艺方法可控,充分利用了用后硅质耐火材料,为用后耐火材料的资源化综合利用提供了一项得力有效的措施,大幅度降低了产品的生产制造成本,提高产品附加值。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 耐火材料 制备 sic 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种利用用后耐火材料制备SiC材料的方法,其特征在于,工艺步骤为: (1) 按配方组配原料用后硅质耐火材料:55~75%;活性炭:20 ~ 40%; (2) 粉碎:将用后硅质耐火材料球磨机中混磨至粒径35~45μm; (3) 混料、成型:将硅质耐火材料粉与活性碳按比例混合,添加1 ~ 5%的辅助结合剂,拌匀后以30~40MPa压力下成型: (4)高温合成:合成采用空气中埋碳控制得到还原气氛体系,温度升至1400℃~1600℃,保温3~10h。
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