[发明专利]光电转换元件

摘要

本公开内容提供了一种光电转换元件，包括层叠了第一金属层、第一半导体层、第二半导体层和第二金属层的光电转换层。第一金属层或第二金属层包含多孔金属薄膜，多孔金属薄膜具有穿过膜的多个开口。每一个开口都具有平均大于等于80nm²且小于等于0.8μm²的面积，多孔金属薄膜具有大于等于2nm且小于等于200nm的厚度。第二半导体层的带隙比第一半导体层的带隙小，具有与所述第一半导体层相反的极性，且位于距所述多孔金属薄膜5nm以内处。

主权项

一种光电转换元件，包括层叠了第一金属层、第一半导体层、第二半导体层和第二金属层的光电转换层；其中，所述第一金属层或所述第二金属层包含多孔金属薄膜，所述多孔金属薄膜具有穿过所述多孔金属薄膜的多个开口，每一个所述开口都具有平均80nm²到0.8μm²的面积，其中，包含80nm²和0.8μm²的面积，所述多孔金属薄膜具有2nm到200nm的厚度，其中，包含2nm和200nm的厚度，所述第二半导体层的带隙比所述第一半导体层的带隙小，所述第二半导体层的极性与所述第一半导体层的极性相反，并且所述第二半导体层位于距所述多孔金属薄膜5nm以内处。