[发明专利]一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法有效

专利信息
申请号: 201410479415.1 申请日: 2014-09-19
公开(公告)号: CN104198164B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 朱咸昌;胡松;赵立新 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 代理人: 杨学明,顾炜
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法,其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置,完成硅片的高精度调平和调焦。利用微透镜阵列对携带有硅片位置信息的波前进行检测,根据哈特曼波前检测原理,微透镜阵列的各个子单元将球面波波前分割,并成像于各自的焦面上。当硅片位于焦面位置时,微透镜阵列入射波前为平面波,衍射光斑位于微透镜阵列各个子单元的焦点上;当硅片存在离焦时,微透镜阵列入射波前为球面波,衍射光斑在微透镜阵列焦面上产生偏移。根据哈特曼波前检测原理,通过微透镜阵列对平面和球面波前成像光斑偏移,即可完成球面波前检测,从而完成硅片离焦测量。该检焦系统结构简单、精度和效率较高,适用于各类光刻机的高精度、实时性检焦测量。
搜索关键词: 一种 基于 哈特曼波前 检测 原理 方法
【主权项】:
一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法,该检焦方法使用的检焦系统由光源及准直扩束系统(1)、前置透镜组(2)、被测硅片(3)、后置透镜组(4)、微透镜阵列(5)和CCD探测器(6)组成,其中,前置透镜组(2)和后置透镜组(4)构成一个4f系统,被测硅片(3)位于其共焦面上,其特征在于:光源及准直扩束系统(1)的出射平面波前经过前置透镜组(2)后入射到被测硅片(3)表面,经过被测硅片3)反射后,通过后置透镜组(4)和微透镜阵列(5)后,在CCD探测器中成像:当被测硅片(3)位于前置透镜组(2)和后置透镜组(4)的共焦面时,微透镜阵列(5)对平面波前成像;当被测硅片(3)离焦时,微透镜阵列(5)对球面波前成像,根据CCD探测器(6)中成像光斑的变化情况,即可完成被测硅片(3)的检焦测量。
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