[发明专利]相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410480083.9 申请日: 2014-09-18
公开(公告)号: CN104252098B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 黎午升 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G03F1/26 分类号: G03F1/26
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法,属于显示领域。其中,该相移掩模板,用于制作阵列基板像素区和扇出区的信号线,所述相移掩膜板包括依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案,每一遮光图案包括有至少对应于像素区信号线的第一遮光图案和除所述第一遮光图案之外的第二遮光图案,其中,在利用所述相移掩膜板进行曝光时,相邻第一遮光图案之间的第一区域下方的光刻胶接受到的光强小于相邻第二遮光图案之间的第二区域下方的光刻胶接受到的光强。本发明的技术方案能够减少像素区的信号线和扇出区的信号线之间的线宽差异。
搜索关键词: 相移 掩膜板 及其 制作方法 阵列
【主权项】:
1.一种相移掩模板,用于制作阵列基板像素区和扇出区的信号线,其特征在于,所述相移掩膜板包括依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案,每一遮光图案包括有至少对应于像素区信号线的第一遮光图案和除所述第一遮光图案之外的第二遮光图案,其中,在利用所述相移掩膜板进行曝光时,相邻第一遮光图案之间的第一区域下方的光刻胶接受到的光强小于相邻第二遮光图案之间的第二区域下方的光刻胶接受到的光强;所述第一遮光图案由位于衬底上的相移层形成,所述第二遮光图案由位于衬底上的相移层和位于相移层上的不透光层形成。
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