[发明专利]相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201410480083.9 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN104252098B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 黎午升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种相移掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法,属于显示领域。其中,该相移掩模板,用于制作阵列基板像素区和扇出区的信号线,所述相移掩膜板包括依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案,每一遮光图案包括有至少对应于像素区信号线的第一遮光图案和除所述第一遮光图案之外的第二遮光图案,其中,在利用所述相移掩膜板进行曝光时,相邻第一遮光图案之间的第一区域下方的光刻胶接受到的光强小于相邻第二遮光图案之间的第二区域下方的光刻胶接受到的光强。本发明的技术方案能够减少像素区的信号线和扇出区的信号线之间的线宽差异。 | ||
搜索关键词: | 相移 掩膜板 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种相移掩模板,用于制作阵列基板像素区和扇出区的信号线,其特征在于,所述相移掩膜板包括依次排布、与阵列基板上的多条信号线一一对应的多个遮光图案,每一遮光图案包括有至少对应于像素区信号线的第一遮光图案和除所述第一遮光图案之外的第二遮光图案,其中,在利用所述相移掩膜板进行曝光时,相邻第一遮光图案之间的第一区域下方的光刻胶接受到的光强小于相邻第二遮光图案之间的第二区域下方的光刻胶接受到的光强;所述第一遮光图案由位于衬底上的相移层形成,所述第二遮光图案由位于衬底上的相移层和位于相移层上的不透光层形成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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