[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410480137.1 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105448992A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 徐烨锋;闫江;唐兆云;唐波;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在部分衬底上形成第一半导体层，在衬底及第一半导体层上形成第二半导体层，衬底上形成有第一隔离；以第一半导体层之上的第二半导体层为有源区形成器件结构；在第一半导体层之上的第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料，以分别形成埋层及绝缘孔；在栅极两侧、第一隔离与埋层之间的衬底上形成器件结构的第二隔离。本发明可以通过体衬底实现SOI器件，同时，埋层的厚度可以通过形成的第一半导体层的厚度来调节，满足不同器件的需求，工艺简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在部分衬底上形成第一半导体层，在衬底及第一半导体层上形成第二半导体层，衬底上形成有第一隔离；以第一半导体层之上的第二半导体层为有源区形成器件结构；在第一半导体层之上的第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料，以分别形成埋层及绝缘孔；在栅极两侧、第一隔离与埋层之间的衬底上形成器件结构的第二隔离。
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