[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法有效
| 申请号： | 201410480585.1 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN105449053B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 彭辉剑 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括一基板，依次设于基板一侧的一预生长层、一第一绝缘层和一发光结构，其中，所述基板包括一第一电极，一第二电极和一绝缘部，所述第一电极包覆第二电极且与第二电极间隔设置，所述绝缘部设于所述第一电极和第二电极之间；发光二极管晶粒还包括所述预生长层侧面外围还设有一第二绝缘层和一金属层。相比于现有技术，本发明的发光二极管晶粒的第一电极和第二电极设于第一半导体层和第二半导体层的下方以达到降低漏电情况的发生，同时可以增加发光二极管晶粒的光取出面积。本发明还提供一种上述发光二极管晶粒的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括一基板，依次设于基板上的一预生长层和一发光结构，其特征在于：所述基板包括一第一电极，一包覆第一电极的第二电极和一设于第一电极和第二电极之间的绝缘部，所述第一电极位于所述预生长层下方；所述发光二极管晶粒还包括一绝缘层和一金属层，所述金属层形成于所述第二电极上，所述绝缘层包括相垂直的一第一绝缘层和一第二绝缘层，所述第一绝缘层设于所述预生长层和所述发光结构之间，用以隔绝所述预生长层和所述发光结构之间的直接电导通；所述第二绝缘层设于所述金属层和所述预生长层之间，用以隔绝所述金属层和所述预生长层之间的直接电导通；所述第二电极通过所述金属层与所述发光结构电导通，所述第一电极通过所述预生长层与所述发光结构电导通。
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