[发明专利]一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410481836.8 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104211980B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 汪英;任小龙;周福龙;王汝柯;李耀星 | 申请（专利权）人： | 桂林电器科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | C08J9/26 | 分类号： | C08J9/26;C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107 | 代理人： | 唐智芳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为取三聚氰胺均匀分散于聚酰胺酸溶液中，所得树脂溶液铺膜进行热酰亚胺化制得聚酰亚胺/三聚氰胺复合薄膜，所得复合薄膜置于热水中浸泡成孔，洗涤，干燥，得到低介电常数聚酰亚胺薄膜；其中，所述三聚氰胺与聚酰亚胺的重量比为0.05～0.71。与现有技术相比，本发明仅以三聚氰胺作为成孔剂，用热水溶解成孔，成孔工艺简单易行，安全环保；所制得的低介电常数聚酰亚胺薄膜空气孔分布均匀，并具有较低的介电常数和良好的力学性能，在电子和微电子行业等领域具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述的聚酰亚胺具有如下结构式：其中，n为大于或等于1的整数；AI为二元酐单体残基，具体为R为所述低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为：取三聚氰胺均匀分散于聚酰胺酸溶液中，所得树脂溶液铺膜进行热酰亚胺化制得聚酰亚胺/三聚氰胺复合薄膜，所得复合薄膜置于热水中浸泡成孔，洗涤，干燥，得到低介电常数聚酰亚胺薄膜；其中，所述三聚氰胺与聚酰亚胺的重量比为0.05～0.7：1。
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