[发明专利]一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO2层包裹的锗纳米线阵列；4）去除包裹在纳米线两端表面的SiO2层，裸露出锗纳米线的两端；5）在锗纳米线的延长线上沉积金属引线、源极电极和漏极电极，在硅衬底上制作栅极电极；6）在步骤5）的结构表面形成Si3N4保护层；7）去除纳米线图形区域和金属电极图形区域内的Si3N4保护层，直至完全露出锗纳米线、源极电极和漏极电极。本发明的锗纳米线基于自上而下的方法，工艺过程简单，可控性强，与传统的CMOS工艺完全兼容，成本较低，适于工业生产。

主权项

一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)提供一SGOI衬底结构，所述SGOI衬底结构包括硅衬底、位于所述硅衬底上表面的埋氧层和位于所述埋氧层上的SiGe层；2)利用刻蚀工艺刻蚀所述SiGe层，以形成SiGe纳米线阵列；3)对所述步骤2)得到的结构进行锗浓缩，并控制锗浓缩的工艺条件以得到表面被SiO2层所包裹的锗纳米线阵列；4)去除包裹在所述锗纳米线两端表面的SiO2层，以裸露出所述锗纳米线的两端；5)在所述锗纳米线的延长线上沉积金属引线、源极电极和漏极电极，所述金属引线的一端与所述裸露出的锗纳米线的一端相连接，另一端与所述源极电极或漏极电极相连接；在所述硅衬底上制作栅极电极；6)在所述步骤5)得到的结构的表面形成Si3N4保护层；7)图形化所述Si3N4保护层，以形成所述锗纳米线图形区域和金属电极图形区域，去除所述纳米线图形区域和所述金属电极图形区域内的Si3N4保护层，直至完全裸露出所述锗纳米线、所述源极电极和漏极电极。