[发明专利]半导体器件以及制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201410482926.9 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104752506A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李钟锡;千大焕;洪坰国;朴正熙;郑永均 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,彭益群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其包括布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层；布置在第一n-型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n-型外延层；布置在第二n-型外延层上的n+区；穿过第二n-型外延层、p型外延层和n+区并被布置第一n-型外延层上的沟槽；布置在p型外延层上并与该沟槽隔开的p+区；以及位于该沟槽中的栅绝缘层，其中所述沟道被布置在沟槽两侧的第二n-型外延层以及沟槽两侧的p型外延层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n?型外延层；布置在所述第一n?型外延层上的p型外延层；布置在所述p型外延层上的第二n?型外延层；布置在所述第二n?型外延层上的n+区；穿过所述第二n?型外延层、p型外延层和n+区，并被布置在所述第一n?型外延层上的沟槽；布置在所述p型外延层上并与所述沟槽隔开的p+区；位于所述沟槽中的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的栅电极；位于所述栅电极上的氧化物层；位于所述n+区、所述氧化物层和所述p+区上的源电极；以及位于所述n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏电极，其中沟道被布置在所述沟槽两侧的第二n?型外延层以及所述沟槽两侧的p型外延层中。
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