[发明专利]一种改善Flash产品隔离区域的过刻蚀缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410482976.7 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104201154A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明解决的问题提供一种改善lash产品隔离区域的过刻蚀缺陷的方法以及制作Flash产品隔离结构的方法，包括：提供光罩，所述光罩定义的存储区域隔离结构与运算区域隔离结构之间具有间距；以所述光罩为掩膜，形成所述存储区域隔离结构和运算区域隔离结构，所述存储区域隔离结构或运算区域隔离结构的一部分作为存储区域与运算区域之间的隔离结构。本发明避免了存储区域的隔离结构与运算区域的隔离结构形成过程中对衬底的两次刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 flash 产品 隔离 区域 刻蚀 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种改善Flash产品隔离区域的过刻蚀缺陷的方法，所述Flash产品包括：存储区域和运算区域，所述存储区域具有存储区域隔离结构，所述运算区域具有运算区域隔离结构，其特征在在于，包括：提供光罩，所述光罩定义的存储区域隔离结构与运算区域隔离结构之间具有间距；以所述光罩为掩膜，形成所述存储区域隔离结构和运算区域隔离结构，所述存储区域隔离结构或运算区域隔离结构的一部分作为存储区域与运算区域之间的隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
