[发明专利]具有红外线吸收结构层的氮化铝装置

摘要

本发明涉及具有红外线吸收结构层的氮化铝装置，揭露一种微机电系统装置，其包含第一硅基板，该第一硅基板包含操作层，该操作层包含第一表面和第二表面，该第二表面包含腔孔；绝缘层，沉积在该操作层的该第二表面上方；装置层，具有第三表面和第四表面，其中，该第三表面接合于该绝缘层；压电层，沉积于该装置层的该第四表面上方；金属导电层，设置在该压电层上方；接合层，设置在一部分该金属导电层上方；以及间隔，形成在该第一硅基板上；其中，该第一硅基板是接合至第二硅基板，该第二硅基板包含金属电极，组构用以在该第一硅基板上所形成的该金属导电层与该第二硅基板之间形成电性连接。

主权项

一种微机电系统装置，包含：第一硅基板，包含：操作层，包含第一表面和第二表面，该第二表面包含腔孔；绝缘层，沉积在该操作层的该第二表面上方；装置层，具有第三表面和第四表面，其中，该第三表面接合于该绝缘层；压电层，沉积在该装置层的该第四表面上方；金属导电层，设置在该压电层上方；接合层，设置在一部分该金属导电层上方；以及间隔，形成在该第一硅基板上；其中，该第一硅基板是接合于互补式金属氧化物半导体基板，该互补式金属氧化物半导体基板包含：金属电极，组构用以在该第一硅基板上所形成的该金属导电层与该互补式金属氧化物半导体基板之间形成电性连接。