[发明专利]一种像素结构及其制备方法、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201410484549.2 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104298033B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;彭志龙;代伍坤;刘还平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 柴亮,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种像素结构及其制备方法、显示面板及显示装置，所述像素结构包括多列像素以及多条位于相邻列像素间的数据线，每个像素包括像素电极以及具有栅极、有源层、源极和漏极的薄膜晶体管，所述栅极与有源层间设有栅极保护层，所述栅极保护层中设有至少部分位于两相邻列像素之间的沟槽；两相邻列像素的像素电极的相对端部，以及两相邻列像素之间的数据线中，一个位于所述沟槽内，另一个位于所述栅极保护层无沟槽处的表面上。所述像素结构可以减小数据线与像素电极之间的电容耦合效应，从而减小对数据线中信号传输的干扰，此外，还可以减小像素结构制备过程中的工艺波动对像素性能及其均一性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 结构 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种像素结构，包括多列像素以及多条位于相邻列像素间的数据线，每个像素包括像素电极以及具有栅极、有源层、源极和漏极的薄膜晶体管，所述栅极与有源层间设有栅极保护层，其特征在于，所述栅极保护层中设有至少部分位于两相邻列像素之间的沟槽；所述沟槽位于数据线两侧，且所述两相邻列像素的像素电极的相对端部位于在所述沟槽内。
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