[发明专利]适于氧化钒或掺杂氧化钒薄膜的电极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201410484775.0 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104269389A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 顾德恩;郭瑞;王涛;蒋亚东;袁凯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种与氧化钒或掺杂氧化钒热敏薄膜接触的电极材料及其复合膜系结构制备方法，采用金属钒纳米层修饰的金属钛薄膜作为与氧化钒或者掺杂氧化钒热敏薄膜的引出电极，该电极可以采用上电极或下电极方式与氧化钒或掺杂氧化钒薄膜形成接触。复合金属电极制备工艺简单，且与IC制造工艺及MEMS制造工艺兼容，易于与氧化钒或掺杂氧化钒薄膜接触形成欧姆接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 适于 氧化 掺杂 薄膜 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适于氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜的电极材料，其特征在于，以金属钒纳米层修饰的金属钛薄膜作为与氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜接触的引出电极。
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