[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201410484955.9 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104362178A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 司红康;金一琪 | 申请（专利权）人： | 六安市华海电子器材科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 237005 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，在绝缘衬底101上形成AL源漏电极层102，该源漏电极层102的上表面与绝缘衬底的上表面在同一平面上；将绝缘衬底置入镀膜机，在氢气氛中蒸镀一层极薄的富氢Al膜301；将绝缘衬底置入磁控溅射设备，500-600摄氏度温度下，在绝缘衬底101沉积氧化物半导体层，以获得源漏电极层与氧化物半导体层103的界面区域引入的氢浓度分布；在氧化物半导体层103上沉积氮化硅栅极绝缘层104，该栅极绝缘层104与源漏电极层102之间在水平面上具有一最小间隔d。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：（1）在绝缘衬底上形成AL源漏电极层，该源漏电极层的上表面与绝缘衬底的上表面在同一平面上；（2）将绝缘衬底置入镀膜机，在氢气氛中蒸镀一层极薄的富氢Al膜；（3）将绝缘衬底置入磁控溅射设备，500‑600摄氏度温度下，在绝缘衬底沉积氧化物半导体层，并以此获得源漏电极层与氧化物半导体层的界面区域的氢浓度分布区域；（4）在氧化物半导体层103上沉积栅极绝缘层，该栅极绝缘层与源漏电极层之间在水平面上具有一最小间隔d；（5）形成源漏区和沟道区以及栅极电极层。
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