[发明专利]片式电子元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410486133.4 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105225802B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 朴文秀;金珆暎;李东焕 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01F27/255 | 分类号： | H01F27/255;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 金光军,刘奕晴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种片式电子元件可以包括磁体；以及埋于磁体内的内部线圈部件。该磁体包括包括所述内部线圈部件的核心层；以及分别位于所述核心层上部和下部的上覆盖层和下覆盖层，该核心层具有磁导率的水平不同于所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个。该片式电子元件具有改善的电感和品质因子特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种片式电子元件，该片式电子元件包括：磁体；以及埋于磁体内的内部线圈部件，其中，所述磁体包括：包括所述内部线圈部件的核心层；以及位于核心层上部和下部的上覆盖层和下覆盖层，通过使得所述核心层具有比所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个的装填系数大的装填系数，从而所述核心层具有的磁导率水平大于所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个的磁导率水平；其中，所述核心层含有第一金属磁性微粒和具有平均粒径小于所述第一金属磁性微粒的第二金属磁性微粒；其中，具有比所述核心层的磁导率水平小的磁导率水平的所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个仅含有平均粒径小于所述第一金属磁性微粒的平均粒径的第三金属磁性微粒。
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