[发明专利]梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法有效
| 申请号： | 201410486581.4 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105498867B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 许利苹;曹艳华;廖新勤;杨高;王书琪;魏璐;王树涛;张学记 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提出了一种基于超亲水‑疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，包括在载体表面形成具有梯度的烟灰层；在所述具有梯度的烟灰层表面形成SiO2纳米膜层；利用疏水材料对SiO2纳米膜层进行修饰以形成疏水化的SiO2纳米层；在所述疏水化的SiO2纳米层上覆盖光掩膜，经紫外光照射即在SiO2纳米结构膜层表面以形成超亲水‑疏水的微流体。上述技术方案利用具有表面梯度的多孔网状烟灰结构，得到具有表面梯度的多孔网状SiO2结构，运用超亲水‑疏水特性制备微流体通道、将梯度与微流体通道巧妙的结合以增强微流体的毛细驱动力，从而实现流体在无外力的情况下快速完成自输送。 | ||
| 搜索关键词： | 梯度 二氧化硅 表面 流体 系统 构筑 方法 | ||
【主权项】：
一种基于超亲水‑疏水特性的梯度二氧化硅表面微流体系统的构筑方法，其特征在于，包括：步骤1、在载体表面形成具有梯度的烟灰层；步骤2、在所述具有梯度的烟灰层表面形成SiO2纳米膜层；步骤3、利用疏水材料对SiO2纳米膜层进行修饰以形成疏水化的SiO2纳米膜层；步骤4、在所述疏水化的SiO2纳米膜层上覆盖光掩膜，经紫外光照射即在SiO2纳米膜层表面以形成超亲水‑疏水的微流体。
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