[发明专利]一种提高磁控溅射矩形靶膜厚均匀性的基板运动方法有效

专利信息
申请号: 201410487017.4 申请日: 2014-09-23
公开(公告)号: CN104213093A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 杜晓松;郭攀;赵瑾珠;孙凤佩;袁欢;蒋亚东 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C14/54 分类号: C23C14/54;C23C14/35;C23C14/50
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 徐丰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种提高磁控溅射矩形靶膜厚均匀性的基板运动方法,靶上有条形环状的刻蚀环,圆形基板面对所述矩形靶,在所述矩形靶两侧对称位置设置第一折返点1和第二折返点2之间往复运动,包括如下内容:圆形基板在第一折返点1和第二折返点2相距为D的距离长度之间同时进行匀速直线运动和匀速自转运动,且圆形基板由第一折返点1同时进行匀速直线运动和匀速自转运动到达第二折返点2的时长为第一时长t1;当圆形基板在第一折返点1或第二折返点2处时,圆形基板停留第二时长t2仅作匀速自转运动;调节第一时长t1和第二时长t2的比例,使得圆形基板的薄膜厚度均匀,进而实现了能够提高薄膜厚度均匀性的技术效果。
搜索关键词: 一种 提高 磁控溅射 矩形 靶膜厚 均匀 运动 方法
【主权项】:
一种提高磁控溅射矩形靶膜厚均匀性的基板运动方法,靶上有条形环状的刻蚀环,圆形基板面对所述矩形靶,在所述矩形靶两侧对称位置设置第一折返点1和第二折返点2之间往复运动,其特征在于,包括如下内容:圆形基板在第一折返点1和第二折返点2相距为D的距离长度之间同时进行匀速直线运动和匀速自转运动,且圆形基板由第一折返点1同时进行匀速直线运动和匀速自转运动到达第二折返点2的时长为第一时长t1;当圆形基板在第一折返点1或第二折返点2处时,圆形基板停留第二时长t2仅作匀速自转运动;调节第一时长t1和第二时长t2的比例,使得圆形基板的薄膜厚度均匀。
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