[发明专利]半导体器件引线框架有效
| 申请号： | 201410488506.1 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104517925B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 弗雷克·E·范斯坦腾;杰里米·乔伊·蒙塔尔博·因科米奥;埃尔伯塔斯·雷杰斯 | 申请（专利权）人： | 安普林荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黎艳 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 对于所谓的薄膜辅助成型(FAM)器件处理技术，本发明提供了半导体器件的引线框架，包括基座部分和连接引线。基座部分配置为设置半导体管芯。连接引线包括水平部分，用于外部连接；以及具有角度的部分，用于连接半导体管芯。其中具有角度的部分具有相对于基座部分的正角度。连接引线可包括收容部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 引线 框架 | ||
【主权项】：
1.一种RF半导体器件的器件封装方法，包括以下步骤：提供引线框，所述引线框包括基座(12)和连接引线(10)，所述基座(12)带有配置为安装一个或多个半导体管芯的顶部表面；在成型工艺之前或之后在所述基座(12)的所述顶部表面上安装至少一个半导体管芯(14)；将第一薄膜(34)和第二薄膜(36)放置在所述连接引线(10)、基座(12)和一个或多个半导体管芯(14)上以形成组合，其中，所述第一薄膜(34)配置为模的顶部(30)，所述第二薄膜(36)配置为所述模的底部(32)；围绕所述基座(12)、连接引线(10)、一个或多个半导体管芯(14)和第一薄膜(34)和第二薄膜(36)的所述组合闭合所述模的所述顶部(30)和所述底部(32)，使得所述模的顶部(30)配置为所述第一薄膜(34)，并且所述模的底部(32)配置为所述第二薄膜(32)；此后，向所述第一薄膜(34)和第二薄膜(36)施加压力和热量，从而所述第一薄膜(34)和第二薄膜(36)在所述基座(12)、连接引线(10)和一个或多个半导体管芯(14)周围封合，以致在所述至少一个半导体管芯(14)周围形成第一空腔(38)，在所述连接引线(10)的顶部和底部的在所述连接引线(10)与所述基座(12)重合、并且位于所述连接引线(10)和所述基座(12)之间的位置形成第二组空腔(37)；将模制合成物注入所述第二组空腔(37)，从而将所述连接引线(10)与所述基座(12)电隔离，并且固化所述模制合成物，以获得由薄膜辅助成型制造的产品；打开所述模，卸出所述产品；将所述半导体管芯(14)打线焊至所述连接引线(10)；其中，所述连接引线(10)包括用于电性连接至所述半导体管芯(14)的连接部分(11)，所述连接部分(11)的边缘包括收容部分(60)，所述收容部分配置为在所述RF半导体器件成型中与所述第一薄膜(34)封合。
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