[发明专利]一种基于纳米结构的透明电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410488860.4 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104361995A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘昌;张国祯;吴昊 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米结构的透明电容器及其制备方法，属于透明电容器领域。其制备方法为：于100～500℃下，在石英玻璃衬底上生长AZO或ITO薄膜作为底电极的接触层；再将去除Al基底和阻挡层的AAO模板转移到AZO或ITO薄膜表面上；然后，于100～500℃下，在AAO模板上依次生长作为底电极的ITO或AZO薄膜，作为介质层的高k材料层，作为顶电极和顶电极的接触层的AZO或ITO薄膜；最后对顶电极和顶电极的接触层进行光刻，湿法腐蚀，形成器件，即得到基于纳米结构的透明电容器。其优点为：本发明的透明电容器尺寸大，价格低廉，容量大，透明度良好，且可应用于高频领域；本发明的制备方法简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 结构 透明 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米结构的透明电容器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）于100～500 ℃下，在石英玻璃衬底上生长厚度为50～400 nm的AZO或ITO薄膜作为底电极的接触层；（2）将去除Al基底和阻挡层的AAO模板转移到步骤（1）制备的AZO或ITO薄膜表面上；（3）于100～500 ℃下，在经步骤（2）转移后的AAO模板上依次生长作为底电极的ITO或AZO薄膜，作为介质层的高k材料层，作为顶电极的厚度为5～50 nm的AZO或ITO薄膜；（4）于100～500 ℃下，在步骤（3）制备的顶电极上生长AZO或ITO薄膜作为顶电极的接触层；（5）对步骤（3）制备的顶电极和步骤（4）制备的顶电极的接触层进行光刻，湿法腐蚀，形成器件，即得基于纳米结构的透明电容器。
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