[发明专利]沟槽型双层栅MOS多晶硅间热氧介质层的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS多晶硅间热氧介质层的制造方法，包括在沟槽内生长由第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜组成的第一介质层；生长第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行反刻蚀；进行光刻；对第一层多晶硅进行第二次刻蚀；热氧形成多晶硅间的热氧介质层；刻蚀去除第一介质层中的氮化膜和第二氧化膜，保留第一氧化膜；栅氧前处理；生长第二层多晶硅；对第二层多晶硅进行反刻蚀。本发明能使多晶硅间热氧介质层厚度扩展到3000埃以上，能提高器件抗击穿电压，节约制造成本。

主权项

一种沟槽型双层栅MOS多晶硅间热氧介质层的制造方法，其特征是，包括以下步骤：1）在沟槽内生长第一介质层，所述第一介质层包括第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜；2）在第一介质层上，生长第一层多晶硅；3）对第一层多晶硅进行反刻蚀；4）进行光刻，进行光刻时光刻胶只把源区多晶硅盖住，其余区域为不具有光刻胶；5）对第一层多晶硅进行第二次刻蚀，刻出台阶式的多晶硅；6）热氧形成多晶硅间的热氧介质层；7）刻蚀去除第一介质层中的氮化膜和第二氧化膜，保留第一氧化膜；8）栅氧前处理9）生长第二层多晶硅；10）对第二层多晶硅进行反刻蚀。