[发明专利]应用四输入保护门的抗辐射锁存器在审
申请号: | 201410489956.2 | 申请日: | 2014-09-23 |
公开(公告)号: | CN104218942A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 姚素英;闫茜;聂凯明;史再峰;徐江涛;高志远 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种可以应用于辐射环境下的锁存器,可以抵抗SEU和部分MBU。当锁存器的存储节点以及输入信号由于粒子轰击而发生双比特翻转时,该锁存器能够通过保护门泄放掉沉积在敏感节点上的电荷,从而使锁存器的存储状态不会发生改变,使正确电平信号传入后级电路。为此,本发明采用的技术方案是,应用四输入保护门的抗辐射锁存器,由7个传输门TG1~6,3个反相器INV1~3,3个二输入保护门(Double Input Guardgate,DIG)DIG1~3和一个四输入保护门构成。本发明主要应用于抗辐射集成电路设计。 | ||
搜索关键词: | 应用 输入 保护 辐射 锁存器 | ||
【主权项】:
一种应用四输入保护门的抗辐射锁存器,其特征是,由7个传输门TG1~6,3个反相器INV1~3,3个二输入保护门(Double Input Guardgate,DIG)DIG1~3和一个四输入保护门构成,四路相同的输入信号中三路分别对应输入到输入端D1、D2、D3,输入端D1、D2、D3分别依次对应通过传输门TG1、传输门T G2、传输门TG3送入对应的二输入保护门DIG1~3,输入信号经输入端D1、输入端D2作为二输入保护门DIG1的输入,二输入保护门DIG1的输出A经过反相器INV1和传输门TG5连至输入端D1;输入端D2、输入端D3作为二输入保护门DIG2的输入,二输入保护门DIG2的输出B经由反相器INV2和传输门TG6连至输入端D2;输入端D1、输入端D3作为二输入保护门DIG3的输入,二输入保护门DIG3的输出C经反相器INV3和TG7连至输入端D3;输出A、B、C作为四输入保护门的输入信号,前述三路输入信号以外的一路输入四输入保护门输出Q。
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