[发明专利]3DNAND闪存的制作方法

摘要

本发明提出了一种3D NAND闪存的制作方法，在形成多晶硅之前先形成一层隔离介质层，使形成多晶硅时多晶硅在隔离介质层上生长的速率和结晶颗粒大小一致，此外，在形成存储介质层之前，先对多晶硅的侧壁进行修复处理，能够降低多晶硅侧壁的粗糙度，从而使后续的存储介质层与多晶硅保持良好的接触，进而提高3D NAND闪存的性能。

主权项

一种3D NAND闪存的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及虚拟介质层，所述虚拟介质层形成于相邻的层间介质层之间，所述层间介质层及虚拟介质层设有多个沟槽，所述沟槽暴露出所述衬底；在所述沟槽的侧壁上形成隔离介质层；在所述沟槽中隔离介质层的表面上依次形成多晶硅和多晶硅介质层，所述多晶硅包围所述多晶硅介质层；依次刻蚀所述层间介质层及虚拟介质层，在相邻的多晶硅之间形成字线沟槽，所述字线沟槽暴露出所述衬底；刻蚀去除虚拟介质层及部分隔离介质层，形成存储区，所述存储区暴露出部分多晶硅的侧壁；对暴露出的多晶硅侧壁进行修复处理；在所述存储区的侧壁上形成存储介质层，所述存储介质层与所述层间介质层及多晶硅均接触；其中，所述修复处理包括步骤：对暴露出的多晶硅侧壁进行氧化处理，形成牺牲氧化层；刻蚀去除所述牺牲氧化层。