[发明专利]一种激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 201410490395.8 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104269740A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李翔;赵德刚;朱建军;陈平;刘宗顺;江德生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种激光器，其特征在于，包括：N型砷化镓衬底(10)；N型覆盖层(11)，该N型覆盖层(11)制作N型砷化镓衬底(10)正面；第一超晶格层12，该超晶格层(12)制作在N型覆盖层(11)上；N型波导层(13)，该N型波导层(13)制作在超晶格层(12)上；有源层(14)，该有源层(14)制作在N型波导层(13)上；P型波导层(15)，该P型波导层(15)制作在有源层(14)上；第二超晶格层(16)，该超晶格层(16)制作在P型波导层(15)上；P型覆盖层(17)，该P型覆盖层(17)制作在超晶格层(16)上；P型欧姆接触层(18)，该P型欧姆接触层(18)制作在P型覆盖层(17)上；P型欧姆电极(19)，该P型欧姆电极(19)制作在P型欧姆接触层(18)上；N型欧姆电极(20)，该N型欧姆电极(20)制作在N型砷化镓衬底(10)背面。
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