[发明专利]自对准硅化镍的制备方法

摘要

本发明提供了一种自对准硅化镍的制备方法，所述自对准硅化镍的制备方法至少包括下列步骤：对暴露的硅表面进行预清洗，除去自然氧化物；在清洗后的硅表面上沉积镍或镍合金；在第一温度和特定气体氛围(纯惰性气体且流量介于0至5slm)下进行低温快速热退火处理，使部分镍或镍合金与硅反应，形成高电阻的硅镍化物；去除未反应的镍或镍合金；在第二温度和特定气体氛围(纯惰性气体且流量介于0至5slm)下进行高温快速热退火处理，使所述高电阻硅镍化物转化为低电阻的硅镍化物。本发明通过减少快速热退火处理中的惰性气体的流量，既降低了惰性气体中氧化杂质的含量，提高了硅化镍的生成质量，又通过降低腔体中压力来减少镍原子沿着缺陷扩散产生尖峰缺陷与管道缺陷的可能性，同时降低了生产成本。

主权项

一种自对准硅化镍的制备方法，所述自对准硅化镍的制备方法至少包括下列步骤：步骤1，对暴露的硅表面进行预清洗，除去自然氧化物；步骤2，在清洗后的硅表面上沉积镍或镍合金；步骤3，在第一温度和特定气体氛围下进行低温快速热退火处理，使部分镍或镍合金与硅反应，形成高电阻硅镍化物；步骤4，去除未反应的镍或镍合金；步骤5，在第二温度和特定气体氛围下进行高温快速热退火处理，使所述高电阻硅镍化物转化为低电阻硅镍化物；其特征在于，所述步骤3中的低温快速热退火处理的气体氛围为纯惰性气体，且流量介于0至5slm；所述步骤5中的高温快速热退火处理的气体氛围为纯惰性气体，且气体流量介于0至5slm。