[发明专利]MEMS器件的形成方法

摘要

一种MEMS器件的形成方法。采用第一支撑板的支撑，对第一晶圆与第二晶圆中的一个进行减薄，并在减薄面上做对准标记，后在减薄面上粘合第二支撑板；去除第一支撑板，利用对准标记将第三晶圆与未减薄的另一个晶圆形成的双层堆叠结构与该减薄后的晶圆键合形成三层堆叠结构，第二支撑板能提高上述键合过程中已减薄的晶圆的支撑力；去除第二支撑板，对具有对准标记的该个已减薄晶圆进行切割，后在减薄面上粘合第三支撑板，以提高已切割晶圆的支撑力，使得对三层堆叠结构中未减薄的该个晶圆进行减薄过程中，三层堆叠晶圆不易发生破碎；最后切割三层堆叠结构形成各个MEMS器件。采用了第一至第三支撑板，获得了完整且体积小的MEMS器件。

主权项

一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：分别提供第一晶圆、第二晶圆以及第三晶圆，所述第一晶圆用于形成MEMS器件的衬底，其正面具有MOS晶体管、金属互连结构以及第一沟槽；所述第二晶圆用于形成MEMS器件的盖层，其正面具有第二沟槽；将第一晶圆与第二晶圆之一与第三晶圆的正面键合；对键合后的第三晶圆进行切边、后进行减薄工序；在所述减薄后的第三晶圆上至少制作可动电极；在第一晶圆与第二晶圆中的另一个的正面粘贴第一支撑板，后进行背面减薄并在减薄面上制作对准标记，后在具有所述对准标记的减薄面上粘贴第二支撑板；去除所述第一支撑板，利用所述对准标记将所述第一晶圆与第二晶圆中减薄的该个晶圆与所述第三晶圆键合形成晶圆堆叠结构，使得可动电极悬浮于所述第一沟槽与第二沟槽形成的空腔内；去除所述第二支撑板，对具有对准标记的该个晶圆进行切割，后在被切割的晶圆的背面粘贴第三支撑板；对第一晶圆与第二晶圆中未减薄的该个晶圆进行减薄，并在减薄面上贴切割用膜，去除所述第三支撑板，沿已切割的该个晶圆的切割道对所述晶圆堆叠结构进行切割形成MEMS器件。