[发明专利]一种用于SiCoNi蚀刻工艺的蚀刻装置

摘要

本发明公开了一种用于SiCoNi蚀刻工艺的蚀刻装置，包括反应腔、远程等离子体发生装置和控制器。反应腔包括承载待蚀刻基板的基座；设于基座上方、用于在SiCoNi蚀刻工艺的蚀刻步骤通入蚀刻剂的透明导气板；设于透明导气板上方用于在SiCoNi蚀刻工艺的升华步骤中产生热量的红外线加热器，红外线加热器的热量通过透明导气板对基板加热以使基板表面的蚀刻副产物升华。控制器在蚀刻步骤中控制远程等离子体发生装置开启以生成蚀刻剂，在升华步骤中控制等离子体发生装置关闭同时开启红外线加热器。本发明能够实现高效率的SiCoNi蚀刻工艺。

主权项

一种用于SiCoNi蚀刻工艺的蚀刻装置，所述SiCoNi蚀刻工艺包括交替进行的蚀刻步骤和升华步骤，其特征在于，所述蚀刻装置包括：反应腔，其包括：基座，用于承载待蚀刻基板；透明导气板，设于所述基座上方，其具有多个通孔以在所述蚀刻步骤中向所述基板输送蚀刻剂；红外线加热器，设于所述透明导气板上方，用于在所述升华步骤中产生热量，所述红外线加热器产生的热量通过所述透明导气板对所述基板加热以使所述基板表面的蚀刻副产物升华；远程等离子体发生装置，用于生成所述蚀刻剂；以及控制器，用于在所述蚀刻步骤中控制所述远程等离子体发生装置开启，以及在所述升华步骤中控制所述等离子体发生装置关闭同时开启所述红外线加热器。