[发明专利]一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法有效
| 申请号： | 201410491607.4 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104264158B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李红;王秀通;张亮;侯保荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院海洋研究所 |
| 主分类号： | C23F13/12 | 分类号： | C23F13/12;C25D11/26;C25D9/04;C25D5/18;C25D5/54 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 周秀梅,李颖 |
| 地址： | 266071*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于光生阴极保护的石墨烯/CdTe‑TiO2复合膜光阳极的制备方法，涉及一种复合膜光阳极。提供一种具有高效的用于光生阴极保护的石墨烯/CdTe‑TiO2复合膜光阳极的制备方法。以钛箔作为基体，以氢氟酸溶液为电解质溶液，铂作为对电极，进行阳极氧化后煅烧，即可在钛表面制得TiO2纳米管阵列膜；采用循环伏安沉积法，首先在TiO2纳米管阵列膜表面沉积石墨烯量子点，以配制的氧化石墨烯溶液为电解质溶液，以铂为对电极，以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将石墨烯沉积在TiO2纳米管阵列膜表面，即制得石墨烯/TiO2复合膜；然后在制得的石墨烯/TiO2复合膜表面沉积CdTe量子点，以TeO2、CdSO4和盐酸的混合溶液为电解质溶液，以铂为对电极，以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将CdTe沉积在石墨烯/TiO2复合膜表面，最终制得石墨烯/CdTe‑TiO2复合膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 cdte tio2 复合 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于光生阴极保护的石墨烯/CdTe‑TiO2复合膜光阳极的制备方法，其特征在于：1)在去离子水中加入氢氟酸，以铂作对电极，对预处理的钛基体试样进行阳极氧化，氧化后煅烧，随炉冷却至室温；2)采用循环伏安沉积方法对上述氧化后的钛基体试样表面沉积石墨烯量子点，得石墨烯/TiO2纳米管复合膜；3)采用循环伏安沉积方法对上述石墨烯/TiO2纳米管复合膜表面沉积CdTe量子点，而后煅烧，随炉冷却至室温，得到石墨烯/CdTe‑TiO2复合膜。
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