[发明专利]低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及相关器件有效
| 申请号： | 201410492155.1 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104253246A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张慧娟;刘建宏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及相关器件，属于显示面板制造领域。其中，低温多晶硅薄膜的制作方法，包括：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成碱金属离子吸附层；对形成有所述碱金属离子吸附层的基板进行准分子激光退火，使所述非晶硅层转化成多晶硅层；去除碱金属离子吸附层，在所述基板上形成多晶硅薄膜。本发明的技术方案能够减少低温多晶硅薄膜中的碱金属离子，从而有效防止低温多晶硅薄膜晶体管的阈值电压漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制作方法 相关 器件 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成碱金属离子吸附层；对形成有所述碱金属离子吸附层的基板进行准分子激光退火，使所述非晶硅层转化成多晶硅层；去除碱金属离子吸附层，在所述基板上形成多晶硅薄膜。
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