[发明专利]借助焊接连接来制造功率半导体器件的方法

摘要

提出一种用于制造半导体器件的方法，该半导体器件具有金属底板(2)和材料锁合地借助于焊接连接与底板连接的基板，该方法在时间流程中具有以下步骤：提供底板和基板；在底板或基板的连接表面上设置改进的金属成型体，其中该改进的金属成型体具有一金属成型体，其具有从表面引入的颗粒，其中该颗粒具有最小直径，其相当于后续焊接连接的厚度的80％-100％；将底板设置为对着基板，其中改进的金属成型体位于连接平面之间；以高于金属成型体的熔化温度的连接温度给功率半导体器件加载温度，其中金属成型体熔化，颗粒完全进入熔化的金属成型体且并且产生焊接连接。

主权项

一种用于制造半导体器件(1)的方法，该半导体器件具有金属底板(2)和材料锁合地借助于焊接连接(7)与底板连接的基板(3)，该方法时序地包括以下步骤：A.提供底板(2)和基板(3)，其中两者分别具有连接表面(20、40)，这些连接表面形成基板(3)和底板(2)之间的后续焊接连接(7)的各个接触表面；B.在底板(2)或基板(3)的连接表面(20、40)上设置改进的金属成型体(700)，其中该改进的金属成型体(700)具有一金属成型体(70)，其具有从表面(72)引入的颗粒(8)，其中该颗粒(8)具有最小直径，其相当于后续焊接连接的厚度的80％‑100％；C.将底板(2)设置为对着基板(3)，其中改进的金属成型体(700)位于连接平面(20、40)之间；D.以高于金属成型体(70)的熔化温度的连接温度来给功率半导体器件(1)加载温度，其中金属成型体(70)熔化，颗粒(8)完全进入熔化的金属成型体(70)中且从改进的金属成型体(700)中产生具有焊层的焊接连接(7)，该焊层的厚度是受限制的且规定了最小厚度。