[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201410493910.8 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN104517807B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 吉住明日香;樋口鲇美 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种不管基板的表面状态如何都能够利用冲洗液的液膜呈浸液状覆盖基板的整个表面的基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括紧接着进行药液工序进行并向旋转的基板的表面供给冲洗液的冲洗工序,所述冲洗工序包括高速冲洗工序和在该高速冲洗之后进行的减速冲洗工序,所述减速冲洗工序包括积液工序,在该积液工序中,在比所述高速冲洗工序时的旋转速度低的旋转速度的范围内使所述基板的旋转速度减小,并以比所述高速冲洗工序时的最大供给流量大的流量向所述基板的表面供给冲洗液,以在所述基板的表面上形成浸液状的冲洗液的液膜。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,包括:药液工序,向旋转的基板的表面供给药液,对所述基板的表面进行药液处理,冲洗工序,紧接着所述药液工序进行,通过向旋转的所述基板的表面的旋转中心供给冲洗液,利用所述冲洗液冲洗掉在所述基板的表面上附着的药液,并形成冲洗液的液膜;其特征在于,所述冲洗工序包括:高速冲洗工序,一边使所述基板以规定的第一旋转速度旋转一边向所述基板的表面的旋转中心供给冲洗液,利用冲洗液的液膜覆盖基板的整个表面以冲洗掉在所述表面上附着的药液,急减速工序,在所述高速冲洗工序之后执行,为了维持利用冲洗液的液膜覆盖所述基板的整个表面的状态,一边向所述基板的表面的旋转中心供给冲洗液,一边使所述基板的旋转速度以规定的减速梯度从所述第一旋转速度减小到比所述第一旋转速度低的第二旋转速度,积液工序,在所述急减速工序之后执行,为了维持利用冲洗液的液膜覆盖所述基板的整个表面的状态,一边向所述基板的表面的旋转中心供给冲洗液,一边使所述基板的旋转速度以比所述急减速工序时的减速梯度平缓的减速梯度从所述第二旋转速度减少到20rpm以下的规定的第三旋转速度或零,以在所述基板的表面上形成浸液状的冲洗液的液膜;所述积液工序包括以比所述高速冲洗工序时的最大供给流量大的流量向所述基板的表面供给冲洗液的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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