[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201410494217.2 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104269419B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李杰;李文强 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，所述图形传感器包括半导体衬底；位于半导体衬底内的光电二极管阵列，所述光电二极管阵列包括若干行平行排列的光电二极管，每一行包括若干光电二极管，所述光电二极管包括N型掺杂层；所述光电二极管阵列包括暗区和感光区，所述暗区和感光区相邻，所述暗区内包括若干行光电二极管，且所述暗区表面覆盖有金属层；位于感光区内的N型掺杂区，所述N型掺杂区至少位于最接近暗区边缘处的一行光电二极管下方、且包围该行的光电二极管的N型掺杂层，所述N型掺杂区与N型掺杂层连接。上述图像传感器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的光电二极管阵列，所述光电二极管阵列包括若干行平行排列的光电二极管，所述光电二极管包括N型掺杂层；所述光电二极管阵列包括暗区和感光区，所述暗区和感光区相邻，所述暗区内包括若干行光电二极管，且所述暗区表面覆盖有金属层；位于感光区内的N型掺杂区，所述N型掺杂区至少位于最接近暗区边缘处的一行光电二极管下方、且包围该行的光电二极管的N型掺杂层，所述N型掺杂区与N型掺杂层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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